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IXTP62N15P规格书详情
特性 Features
• 国际标准包装
• 动态dv/dt评级
• 较低的RDS(on)和Qg
• 雪崩评级
• 较低的封装电感
应用 Application
• DC-DC转换器
• 电池充电器
• 开关模式和谐振模式电源
• 灯镇流器
• 交流和直流电机驱动器
• 机器人和伺服控制
• 激光驱动器
技术参数
- 型号:
IXTP62N15P
- 功能描述:
MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO220 |
880000 |
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IXYS |
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IXYS |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO220 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO220 |
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IXYS |
22+ |
TO2203 |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
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询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO220 |
1709 |
询价 |