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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IXTP14N60P | PolarHVTM Power MOSFET 文件：166.3 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTP14N60P | P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：166.3 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTP14N60P | Enhancement Mode Power MOSFET 文件：207.02 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTP14N60P | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.41 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：122.32 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.28 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
IXTP14N60P | N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse |
详细参数
- 型号：
IXTP14N60P
- 功能描述：
MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
5000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263 |
69820 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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IXYS/艾赛斯 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
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IXYS |
25+ |
TO-220 |
1675 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
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