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IXTP14N60PM	文件：122.32 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：122.32 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXTQ14N60P	文件：301.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ14N60P	文件：166.3 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：166.3 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ14N60P	文件：207.02 Kbytes Page：6 Pages	Enhancement Mode Power MOSFET 文件：207.02 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXTP14N60PM
功能描述：
MOSFET Polar MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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