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IXTP52P10P	文件：187.63 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：187.63 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXTP52P10P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• Rugged PolarP™工艺\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 动态dv/dt额定;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTQ52P10P	文件：187.63 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：187.63 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ52P10P	文件：301.07 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：301.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.05
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
-52
Gate Charge (nC)：
60
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.42
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
120
Power Dissipation (W)：
300
Sample Request：
Yes
Check Stock：
Yes

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