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IXTN62N50L	文件：136.36 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackage ●LowIntrinsicGateResistance ●miniBLOCwithAluminumNitride Isolation ●FastIntrinsicDiode ●ExtendedFBSOA ●AvalancheRated ●LowRDS(ON)andQG ●LowPackageInductanc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTN62N50L	文件：442.11 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=100mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·APPLICATIONS ·DC-DCconverte	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTN62N50L

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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackage ●LowIntrinsicGateResistance ●miniBLOCwithAluminumNitride Isolation ●FastIntrinsicDiode ●ExtendedFBSOA ●AvalancheRated ●LowRDS(ON)andQG ●LowPackageInductanc

IXYS

IXYS Corporation

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isc N-Channel MOSFET Transistor

·DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=100mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·APPLICATIONS ·DC-DCconverte

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXTB62N50L

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LinearPowerMOSFETw/ExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Corporation

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详细参数

型号：
IXTN62N50L
功能描述：
MOSFET 62 Amps 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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