首页 >IXTN200N10L2>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

IXTN200N10L2

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 178A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 11mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·DC choppers ·Battery chargers ·Temperature and lighting controls ·Switched-mode and resonant-mode power su

文件:543.79 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXTN200N10L2

Linear L2TM Power MOSFET w/ Extended FBSOA

文件:170.38 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTN200N10L2

N通道线性MOSFET

• 专为线性操作设计\n• 75°C条件下FBSOA得到保证\n• 低导通电阻RDS(on)\n• 雪崩评级\n• 国际标准包装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTX200N10L2

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:272.34 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTX200N10L2

Linear L2 Power MOSFET w/ Extended FBSOA

N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated Features ● Designed for Linear Operation ● Avalanche Rated ● Guaranteed FBSOA at 75°C Advantages ● Easy to Mount ● Space Savings ● High Power Density Applications ● Solid State Circuit Breakers ● Soft Start Controls ● Linear A

文件:139.4 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTN200N10L2

  • 功能描述:

    MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
询价
Littelfuse/IXYS
24+
SOT-227
7800
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
IXYS
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
IXYS
1931+
N/A
113
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
IXYS
25+
SOT-227
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
IXYS
23+
MODULE
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
IXYS
22+
NA
113
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
IXYS
22+
SOT2274 miniBLOC
9000
原厂渠道,现货配单
询价
IXYS
23+
SOT2274 miniBLOC
9000
原装正品,支持实单
询价
IXYS
21+
MODULE
200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
更多IXTN200N10L2供应商 更新时间2025-10-8 13:01:00