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IXTN210P10T	文件：572.34 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -210A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.5mΩ(Max)@VGS= -10V · Fast-recovery body diode APPLICATIONS · DC Choppers · Automatic Test Equipment · Battery Charger Applications 文件：572.34 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTN210P10T	文件：226.41 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC 文件：226.41 Kbytes 页数：7 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTN210P10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTR210P10T	文件：204.04 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode 文件：204.04 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTX210P10T	文件：185.56 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode 文件：185.56 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多IXTN210P10T供应商更新时间2025-10-4 13:01:00