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IXTH76P10T

Trench P-Channel MOSFET

FEATURES · Drain Current -ID= -76A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · High-Side Switching · Battery Charger Applications · DC Choppers · Automatic Test Equipment · Current Regulators

文件:305.77 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH76P10T

TrenchP Power MOSFETs

文件:222.77 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH76P10T

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:331.23 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH76P10T

P通道MOSFET

• 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

详细参数

  • 型号:

    IXTH76P10T

  • 功能描述:

    MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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IXYS
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更多IXTH76P10T供应商 更新时间2025-10-6 14:04:00