Trenched P-Channel MOSFET

FEATURES · Drain Current -ID= -210A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.5mΩ(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC)

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ISC

无锡固电

P-Channel Enhancement Mode

文件：185.56 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

P通道MOSFET

• 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET P-CH -100V -210A TO-264

IXYS

艾赛斯