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IXTK200N10L2	文件：139.4 Kbytes Page：5 Pages	Linear L2 Power MOSFET w/ Extended FBSOA N-ChannelEnhancementModeGuaranteedFBSOAAvalancheRated Features ●DesignedforLinearOperation ●AvalancheRated ●GuaranteedFBSOAat75°C Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applications ●SolidStateCircuitBreakers ●SoftStartControls ●LinearA	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK200N10L2	文件：259.26 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTN200N10L2	文件：543.79 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=178A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·DCchoppers ·Batterychargers ·Temperatureandlightingcontrols ·Switched-modeandresonant-modepowersu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTX200N10L2	文件：272.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXTK200N10L2
功能描述：
MOSFET L2 Linear Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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