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IXTK200N10L2

Linear L2 Power MOSFET w/ Extended FBSOA

N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated Features ● Designed for Linear Operation ● Avalanche Rated ● Guaranteed FBSOA at 75°C Advantages ● Easy to Mount ● Space Savings ● High Power Density Applications ● Solid State Circuit Breakers ● Soft Start Controls ● Linear A

文件:139.4 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTK200N10L2

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:259.26 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTK200N10L2

N通道线性MOSFET

• 专为线性操作设计\n• 75°C条件下FBSOA得到保证\n• 低导通电阻RDS(on)\n• 雪崩评级\n• 国际标准包装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTN200N10L2

Linear L2TM Power MOSFET w/ Extended FBSOA

文件:170.38 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTN200N10L2

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 178A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 11mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·DC choppers ·Battery chargers ·Temperature and lighting controls ·Switched-mode and resonant-mode power su

文件:543.79 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXTX200N10L2

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:272.34 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    IXTK200N10L2

  • 功能描述:

    MOSFET L2 Linear Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXTK200N10L2供应商 更新时间2025-10-6 16:12:00