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IXTH90P10P

P通道MOSFET

• 快速本征二极管\n• Rugged PolarP™工艺\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 动态dv/dt额定;

Littelfuse

力特

IXTH90P10P

P-Channel Enhancement Mode

文件:138.03 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTR90P10P

P-Channel Enhancement Mode

文件:155.5 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTT90P10P

P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -90A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC)

文件:333.03 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTT90P10P

P-Channel Enhancement Mode

文件:138.03 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTH90P10P

  • 功能描述:

    MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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更多IXTH90P10P供应商 更新时间2026-6-1 14:00:00