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IXTM12N50

12AMPS,450-500V,0.4OM/0.5OM

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IXYS

IXYS Corporation

IXTM12N50A

StandardPowerMOSFET

Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTP12N50P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTP12N50PM

PolarTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTP12N50PM

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

JCS12N50C

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JCS12N50CC-O-C-N-B

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

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华微电子吉林华微电子股份有限公司

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    IXTI12N50P

  • 功能描述:

    MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTI12N50P供应商 更新时间2025-7-27 10:02:00