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IXTJ4N150

N通道标准高电压MOSFET

• 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);

Littelfuse

力特

IXTJ4N150

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件:160.02 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTT4N150HV

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode

文件:204.1 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

MP4N150

N-CHANNEL MOSFET

APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies  Electronic lamp ballasts based on half bridge  UPS FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 18pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product

文件:479.42 Kbytes 页数:8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

MP4N150-GA-BR

N-CHANNEL MOSFET

APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies  Electronic lamp ballasts based on half bridge  UPS FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 18pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product

文件:479.42 Kbytes 页数:8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    IXTJ4N150

  • 功能描述:

    MOSFET High Voltage Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTJ4N150供应商 更新时间2026-1-8 10:19:00