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IXTH96N20P	文件：605.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Engancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTH96N20P	文件：365.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFH96N20P	文件：231.22 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFH96N20P	文件：372.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=96A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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IXFV96N20P	文件：231.22 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
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IXTQ96N20P	文件：2.11221 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi96Ampere,200VoltSiliconN-ChannelPlanarPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
IXTQ96N20P	文件：301.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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详细参数

型号：
IXTH96N20P
功能描述：
MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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