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IXTK170P10P | P-Channel MOSFET FEATURES ·Drain Current -ID= -170A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：306.25 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTK170P10P | PolarP Power MOSFETs 文件：133.21 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTK170P10P | P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• Rugged PolarP™工艺\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 动态dv/dt额定; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
PolarPTM Power MOSFET 文件：128.52 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
P-Channel Enhancement Mode 文件：128.85 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
PolarP Power MOSFETs 文件：133.21 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXTK170P10P
- 功能描述：
MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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