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IXTH76P10T中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXTH76P10T

功能描述

Trench P-Channel MOSFET

文件大小

305.77 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-14 9:17:00

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IXTH76P10T规格书详情

FEATURES

· Drain Current -ID= -76A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= -10V

APPLICATIONS

· High-Side Switching

· Battery Charger Applications

· DC Choppers

· Automatic Test Equipment

· Current Regulators

产品属性

  • 型号:

    IXTH76P10T

  • 功能描述:

    MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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