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IXTH60N20L2 | N-Channel Enhancement Mode 文件：155.07 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTH60N20L2 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：271.91 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTH60N20L2 | N通道线性MOSFET • 专为线性操作设计\n• 75°C条件下FBSOA得到保证\n• 低导通电阻RDS(on)\n• 雪崩评级\n• 国际标准包装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.82 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
N-Channel Enhancement Mode 文件：155.07 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 45mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Soft Start Controls · Solid State Circuit Breakers · Current Regulators 文件：352.63 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号：
IXTH60N20L2
- 功能描述：
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
IXYS |
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N/A |
49 |
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IXYS |
25+ |
TO-247 |
326 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
49 |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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