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IXTH52P10P | P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：187.63 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTH52P10P | 丝印：DPAK；Package：TO-247；Isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：270.95 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTH52P10P | P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• Rugged PolarP™工艺\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 动态dv/dt额定; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：187.63 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：301.07 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：187.63 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXTH52P10P
- 功能描述：
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-247 |
100 |
询价 | |||
IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS |
2447 |
TO-247 |
105000 |
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IXYS |
25+ |
TO-247 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
50000 |
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IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
21+ |
TO-247 |
1790 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
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24+ |
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更新时间2026-4-20 15:59:00
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