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IRFS9N60ATRRPBFA	文件：223.37 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60A	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL9N60A	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdv/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60A	文件：234.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSDirective200	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60APBF	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MDF9N60	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60B	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60BTH	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF9N60BTH	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60TH	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60TH	文件：323.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP9N60	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP9N60TH	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP9N60TH	文件：332.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTN9N60BFP	文件：461.23 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
PHB9N60E	文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB9N60E	文件：102.87 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP9N60E	文件：1.10597 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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PHW9N60E	文件：102.87 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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