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IRFSL4620	文件：302.45 Kbytes Page：3 Pages	Marking：I2PAK；Package：TO-262；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4620PbF	文件：365.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4620PBF	文件：365.32 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFU4620	文件：247.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU4620PBF	文件：389.89 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRGB4620DPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGB4620DPBF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGIB4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGP4620D-EPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IRFSL4620
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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