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IRFU4620	文件：247.24 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU4620	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFU4620PBF	文件：389.89 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：389.89 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGB4620DPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and switching losses Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C Positive VCE (ON) temperature coefficient and tight distribution of parameters 5µs Short Circuit SOA Lead-Free, RoHS Compliant Benefits High efficiency in a wide range of a 文件：714.86 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGB4620DPBF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and switching losses Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C Positive VCE (ON) temperature coefficient 5µs Short Circuit SOA Lead-Free, RoHS Compliant Benefits High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies 文件：971.84 Kbytes 页数：17 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRGIB4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and switching losses Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C Positive VCE (ON) temperature coefficient 5µs Short Circuit SOA Lead-Free, RoHS Compliant Benefits High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies 文件：971.84 Kbytes 页数：17 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

VDS max：
200.0V
RDS (on)(@10V) max：
78.0mΩ
RDS (on) max：
78.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
17.0A
ID (@ TC=25°C) max：
24.0A
ID max：
24.0A
Ptot max：
144.0W
QG ：
25.0nC
Mounting ：
THT
VGS max：
20.0V
RthJC max：
1.045K/W
Tj max：
175.0°C
Qgd ：
7.9nC

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更多IRFU4620供应商更新时间2026-1-28 8:01:00

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