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IRGIB4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGIB4620DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 32A 140W TO220	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGP4620D-EPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
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IRGS4620DPBF	文件：893.03 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGS4620DTRLPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DTRRPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRGIB4620DPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，12A
开关能量：
185µJ（开），355µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
31ns/83ns
测试条件：
400V，12A，22 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 32A 140W TO220

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