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IRGIB4620DPbF分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGIB4620DPbF
厂商型号

IRGIB4620DPbF

参数属性

IRGIB4620DPbF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 32A 140W TO220

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IGBT 600V 32A 140W TO220

文件大小

971.84 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-25 15:32:00

IRGIB4620DPbF规格书详情

Features

   Low VCE(ON) and switching losses

   Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C

   Positive VCE (ON) temperature coefficient

   5µs Short Circuit SOA

   Lead-Free, RoHS Compliant

Benefits

   High efficiency in a wide range of applications and switching

      frequencies

   Improved reliability due to rugged hard switching

      performance and high power capability

   Excellent current sharing in parallel operation

   Enables short circuit protection scheme

   Environmentally friendly

Applications

• Industrial Motor Drive

• Inverters

• UPS

• Welding

IRGIB4620DPbF属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IRGIB4620DPbF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IRGIB4620DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    185µJ(开),355µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/83ns

  • 测试条件:

    400V,12A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-FP

  • 描述:

    IGBT 600V 32A 140W TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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