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PHB9N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

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ISC

无锡固电

PHB9N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

文件:41.63 Kbytes 页数:7 Pages

PHI

飞利浦

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PHB9N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

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PHB9N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

恩XP

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恩XP
SOT-263
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更多PHB9N60E供应商 更新时间2025-12-12 14:01:00