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PHP9N60E	文件：372.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP9N60E	文件：1.10597 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10597 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PHP9N60E	文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated 文件：41.63 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHW9N60E	文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated 文件：41.63 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHW9N60E	文件：102.87 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated 文件：102.87 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHW9N60E	文件：359.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：359.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多PHP9N60E供应商更新时间2025-11-21 14:00:00