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PHPT60610PY	文件：269.29 Kbytes Page：13 Pages	Marking：0610PAB；Package：LFPAK56；60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. NPNcomplement:PHPT60610NY 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Hightemperatureapplicationsupto175°C •ReducedPrinte	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60610PY-Q	文件：281.16 Kbytes Page：14 Pages	Marking：0610PAB；Package：SOT669；60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. NPNcomplement:PHPT60610NY-Q 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Hightemperatureapplicationsupto175°C •ReducedPrin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60610PYX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-100，SOT-669；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 10A LFPAK56 PWRSO8	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PHPT60610NY	文件：271.47 Kbytes Page：13 Pages	60V,10ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT60610PY 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Hightemperatureapplicationsupto175°C •ReducedPrinte	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHPT60610NY-Q	文件：283.74 Kbytes Page：14 Pages	60V,10ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT60610PY-Q 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Hightemperatureapplicationsupto175°C •ReducedPrin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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