| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRFSL4115 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：291.15 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IRFSL4115 | 150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET Power MOSFET 文件：392.32 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.6 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪= 5.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 720 V) • Enhancement model: Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA) 文件：151.49 Kbytes 页数：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
10 Gbps EA Modulator Driver IC 文件：64.36 Kbytes 页数：5 Pages | OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线日本冲电线株式会社 | OKI | ||
11.1 Gbps Modulator Driver IC 文件：139.85 Kbytes 页数：7 Pages | OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线日本冲电线株式会社 | OKI |
技术参数
- VDS max：
150.0V
- RDS (on) max：
12.1mΩ
- RDS (on)(@10V) max：
12.1mΩ
- Polarity ：
N
- ID (@ TC=100°C) max：
70.0A
- ID max：
70.0A
- ID (@ TC=25°C) max：
99.0A
- Ptot max：
375.0W
- QG ：
77.0nC
- Mounting ：
THT
- Tj max：
175.0°C
- Qgd ：
26.0nC
- RthJC max：
0.4K/W
- VGS max：
20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
501158 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
11846 |
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INFINE0N |
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I2PAK (TO-262) |
32568 |
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IR |
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TO-262 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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IR |
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TO-262 |
8000 |
只做原装现货 |
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IR |
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TO-262 |
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Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
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International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
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