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K1405	文件：48.04 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •Built-infastdiode(trr=140ns) •Suitableformotorcontrol,switchingregulator,DC-DCconverter Application •Highspeedpowerswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
KS1405N	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KS1405N	文件：153.8 Kbytes Page：1 Pages	7mmADJUSTABLEIFTCOILS(II)(SHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KS1405N-LFR	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KSV1405	文件：35.07 Kbytes Page：1 Pages	SILICONHYPERABRUPTTUNINGDIODES TheKSV1400Seriesofhyperabruptvaractorsofferhighcapacitanceratioswithlineartuningbetween2and8volts. Theunitsareavailableoverabroadrangeofjunctioncapacitances,satisfyingalargenumberofbroadbandapplicationsthrutheVHFfrequencyband.	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
KSV1405	文件：395.12 Kbytes Page：2 Pages	LowInductance	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
KV1405	文件：35.22 Kbytes Page：4 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODE DESCRIPTION TheKV1405isan8voltrangevariablecapacitancediodedesignedforAMtunerapplications.ItcontainstwoelementshousedintheminiatureSOT23-3surfacemountpackage. FEATURES ■ExcellentLinearity(CVCurve) ■LargeCapacitanceRatio(A=2.10minimum) ■TwoDiodesinaMin	Toko TOKO, Inc	Toko
KV1405TL	文件：35.22 Kbytes Page：4 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODE DESCRIPTION TheKV1405isan8voltrangevariablecapacitancediodedesignedforAMtunerapplications.ItcontainstwoelementshousedintheminiatureSOT23-3surfacemountpackage. FEATURES ■ExcellentLinearity(CVCurve) ■LargeCapacitanceRatio(A=2.10minimum) ■TwoDiodesinaMin	Toko TOKO, Inc	Toko
LB1405	文件：183.62 Kbytes Page：8 Pages	LevelMeter LevelMeter	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LTC1405	文件：328.56 Kbytes Page：20 Pages	12-Bit,5Msps,SamplingADC	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

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详细参数

型号：
IRFBA1405P
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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