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IRFBA1405P	文件：238.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405PPBF	文件：153.65 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedruggednessinsingleand	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405PPBF	文件：222.31 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405PPBF_15	文件：222.31 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405	文件：196.42 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405	文件：334.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP1405PBF	文件：222.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405PBF	文件：270.29 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRFBA1405P
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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