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IRL530NSPBF	文件：465.09 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.10廓,ID=17A)	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	AdavancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：250.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL530S	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL530S	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logiclevelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL530STRRPBF	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12Ω ID=14A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦175°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V ♦LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLI530A	文件：274.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRF530STRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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