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AO6701	文件：164.68 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO6701 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Standard Product AO6701 is Pb-free (meets ROHS & 文件：164.68 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6701	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode	AOS 美国万代	AOS
AO6701L	文件：164.68 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO6701 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Standard Product AO6701 is Pb-free (meets ROHS & 文件：164.68 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
BD6701F	文件：225.8 Kbytes Page：5 Pages	2-Phase Half-Wave Motor Driver for Fan Motor FEATURES Built - in reverse current protection diode 文件：225.8 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD6701F	文件：87.97 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：87.97 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD6701F	文件：518.53 Kbytes Page：17 Pages	Two-phase Full-wave DC Brushless Fan Motor Drivers 文件：518.53 Kbytes 页数：17 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

详细参数

型号：
AO6701
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -2.3A 6-TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区绿盛电子商行	AO6701	AOS	25+	SOT23-6	98961	原厂代理MOS管,原装现货	询价
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