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AO8818	文件：150.54 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switc 文件：150.54 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8818	文件：1.64838 Mbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：1.64838 Mbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8818	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Dual-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO8818L	文件：150.54 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switc 文件：150.54 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8818_08	文件：1.64838 Mbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：1.64838 Mbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AO8814
Package：
TSSOP-8
Configuration：
Common-Drain - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
7
Id(A)(75℃)：
5.5
Pd(W)(25℃)：
1.5
Pd(W)(75℃)：
0.96
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
18
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
20
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
27
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
58
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
11.6

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