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AO8822	文件：118.78 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field GeneralDescription TheAO8822usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitatedbyit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8822	文件：963.76 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO8822	文件：202.86 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8822L	文件：118.78 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field GeneralDescription TheAO8822usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitatedbyit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8822_11	文件：202.86 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ8822	文件：358.98 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-LowCapacitanceTwo-lineTVSDiode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APW8822	文件：656.68 Kbytes Page：27 Pages	SystemPowerPWMControllerforNotebookComputerswithChargePump	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APW8822A	文件：656.68 Kbytes Page：27 Pages	SystemPowerPWMControllerforNotebookComputerswithChargePump	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APW8822AQBI	文件：656.68 Kbytes Page：27 Pages	SystemPowerPWMControllerforNotebookComputerswithChargePump	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APW8822AQBI-TRL	文件：656.68 Kbytes Page：27 Pages	SystemPowerPWMControllerforNotebookComputerswithChargePump	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC

详细参数

型号：
AO8822
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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