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AO8810	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.AO8810Lisofferedinalead-freepackage.St	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8810	文件：963.39 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO8810	文件：221.93 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8810	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管;	HXY MOSFETShenzhen Huaxuanyang Electronics Co., Ltd. 华轩阳电子深圳市华轩阳电子有限公司	HXY MOSFET
AO8810	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N -Channel MOSFET;	XWXWSEMI (Shenzhen) Co., Ltd 芯微半导体芯微半导体（深圳）有限公司	XW
AO8810	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET);	TDSEMIC 拓电半导体	TDSEMIC
AO8810L	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.AO8810Lisofferedinalead-freepackage.St	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8810_12	文件：221.93 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

技术参数

ID/A：
7
VDS/V：
20
RDS(on)/mΩ：
12
VGS/V：
10
VGS(th)/V：
0.5-1.2
N/P：
N+N

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更多AO8810供应商更新时间2025-7-28 10:02:00

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