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STP5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, render 文件：1.41415 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STU5N95K3	文件：317.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=4.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =3.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STU5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, render 文件：1.41415 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD5N95K3	文件：298.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 3.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：298.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STD5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, render 文件：1.41415 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, render 文件：1.41415 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP5N95K3
功能描述：
MOSFET N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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