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STP80N10F7	文件：1.36681 Mbytes Page：25 Pages	Ultra low on-resistance Description These devices utilize the 7th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. • Extremely low gate charge • Ultra low on-resistance • Low gate input resistance A 文件：1.36681 Mbytes 页数：25 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP80N10F7	文件：318.66 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP80N10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。\n • 极低的栅极电荷\n• 超低导通电阻• 低栅极输入电阻;	ST 意法半导体	ST
80N10F7	文件：966.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：966.73 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD80N10F7	文件：295.7 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STD80N10F7	文件：1.36681 Mbytes Page：25 Pages	Ultra low on-resistance Description These devices utilize the 7th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. • Extremely low gate charge • Ultra low on-resistance • Low gate input resistance A 文件：1.36681 Mbytes 页数：25 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
TO-220AB
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
100
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.01
Drain Current (Dc)_max(A)：
80
PTOT_max(W)：
110
Qg_typ(nC)：
45

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳和润天下电子科技有限公司	STP80N10F7	ST/意法半导体	22+	TO-220-3	6001	原装正品现货可开增值税发票	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STP80N10F7	ST(意法半导体)	24+	TO-220	7828	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市金芯阳科技有限公司	STP80N10F7	STMicroelectronics	24+	原装原装	5850	原装正品现货库存价格优势!	询价
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更多STP80N10F7供应商更新时间2025-10-11 8:31:00

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