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STP80N10F7中文资料N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书

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厂商型号

STP80N10F7

功能描述

N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:12:00

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STP80N10F7规格书详情

描述 Description

该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。

特性 Features

• 极低的栅极电荷
• 超低导通电阻
• 低栅极输入电阻

技术参数

  • 制造商编号

    :STP80N10F7

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.01

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :80

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :45

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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ST/意法半导体
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TO-220-3
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