Ultra low on-resistance

Description These devices utilize the 7th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. • Extremely low gate charge • Ultra low on-resistance • Low gate input resistance A

文件：1.36681 Mbytes 页数：25 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：1.02055 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：295.7 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。 • 极低的栅极电荷 \n• 超低导通电阻 \n• 低栅极输入电阻;

ST

意法半导体