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STD80N10F7中文资料N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD80N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 极低的栅极电荷
• 超低导通电阻
• 低栅极输入电阻
技术参数
- 制造商编号
：STD80N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.01
- Drain Current (Dc)_max(A)
：70
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICRO |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
STM |
26+ |
原厂封装 |
8900000 |
一级总代理商原厂原装大批量现货
一站式服务 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
26+ |
TO-252-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
ST |
2432+ |
3200 |
15年芯片行业经验/只供原装正品：13570885961邹小姐 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
