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STD80N10F7数据手册ST中文资料规格书
STD80N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 极低的栅极电荷
• 超低导通电阻
• 低栅极输入电阻
技术参数
- 制造商编号
：STD80N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.01
- Drain Current (Dc)_max(A)
：70
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
24+ |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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20000 |
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