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STD80N10F7中文资料N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书
STD80N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 极低的栅极电荷
• 超低导通电阻
• 低栅极输入电阻
技术参数
- 制造商编号
:STD80N10F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.01
- Drain Current (Dc)_max(A)
:70
- PTOT_max(W)
:85
- Qg_typ(nC)
:45
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
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STM |
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ST |
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TO-252 |
3000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
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ST/意法半导体 |
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ST(意法) |
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ST |
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SMD |
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ST/意法 |
23+ |
TO252 |
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