STD7N80K5数据手册ST中文资料规格书
STD7N80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新的专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界先进的低RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数 (FoM)
• 超低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STD7N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：13.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
45000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252 |
80000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
ST/意法全新特价STD7N80K5即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2024+ |
NA |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO252 |
7850 |
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询价 | ||
ST MICROELECTRONICS |
两年内 |
NA |
30700 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ST |
19+ |
TO252 |
32000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
