STD7N60M2数据手册ST中文资料规格书
STD7N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD7N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.95
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：8.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
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ST/意法 |
25+ |
TO252 |
54648 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-252-3 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO252 |
990000 |
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ST MICROELECTRONICS |
两年内 |
NA |
752333 |
实单价格可谈 |
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ST |
18+ |
TO-252 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ST/意法 |
13+ |
TO-252 |
248 |
询价 |
