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STU5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,render	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU5N95K3	文件：317.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STD5N95K3	文件：298.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=3.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel950V,3ohmtyp,4AZener-protectedSuperMESH3 Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,render	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI5N95K3	文件：747.37 Kbytes Page：13 Pages	N-channel950V,3廓typ.,4AZener-protectedSuperMESH3??PowerMOSFETinI2PAKFPpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel950V,3ohmtyp,4AZener-protectedSuperMESH3 Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,render	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STU5N95K3
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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