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STP7N52K3	文件：372.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP7N52K3	文件：380.01 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 525 V, 0.84 廓, 6.3 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3??Power MOSFET Description SuperMESH3™isanewPowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7N52K3	文件：1.20013 Mbytes Page：18 Pages	N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB7N52K3	文件：380.01 Kbytes Page：15 Pages	N-channel525V,0.84廓,6.3A,D2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220SuperMESH3??PowerMOSFET Description SuperMESH3™isanewPowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB7N52K3	文件：1.20013 Mbytes Page：18 Pages	N-channel525V,0.84OHM,6.2A,D2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220SuperMESH3PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB7N52K3	文件：345.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD7N52K3	文件：299.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD7N52K3	文件：1.20013 Mbytes Page：18 Pages	N-channel525V,0.84OHM,6.2A,D2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220SuperMESH3PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD7N52K3	文件：380.01 Kbytes Page：15 Pages	N-channel525V,0.84廓,6.3A,D2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220SuperMESH3??PowerMOSFET Description SuperMESH3™isanewPowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF7N52K3	文件：1.20013 Mbytes Page：18 Pages	N-channel525V,0.84OHM,6.2A,D2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220SuperMESH3PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP7N52K3
功能描述：
MOSFET N-channel 525 V 6.3 A PAK D
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STP7N52K3供应商更新时间2025-5-28 8:40:00

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