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STP8N80K5	文件：372.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=950mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP8N80K5	文件：1.19102 Mbytes Page：16 Pages	Marking：8N80K5；Package：TO-220；N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD8N80K5	文件：1.3077 Mbytes Page：17 Pages	WorldwidebestFOM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF8N80K5	文件：1.11883 Mbytes Page：15 Pages	N-channel800V,0.8typ.,6AZener-protectedSuperMESH5PowerMOSFETinTO-220FP Description TheseN-channelZener-protectedPowerMOSFETsaredesignedusingST’srevolutionaryavalanche-ruggedveryhighvoltageSuperMESH™5technology,basedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistance,andultra-lowgatechargefora	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI8N80K5	文件：1.11883 Mbytes Page：15 Pages	N-channel800V,0.8typ.,6AZener-protectedSuperMESH5PowerMOSFETinTO-220FP Description TheseN-channelZener-protectedPowerMOSFETsaredesignedusingST’srevolutionaryavalanche-ruggedveryhighvoltageSuperMESH™5technology,basedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistance,andultra-lowgatechargefora	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL8N80K5	文件：1.40505 Mbytes Page：17 Pages	N-channel800V,0.80typ.,4.5AZener-protectedSuperMESH5PowerMOSFETinaPowerFLAT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU8N80K5	文件：1.19102 Mbytes Page：16 Pages	N-channel800V,0.8typ.,6AZener-protectedSuperMESH5PowerMOSFETinTO-220andIPAKpackages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP8N80K5
功能描述：
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A SuperMESH 5
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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