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STP75N3LLH6

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:371.85 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STP75N3LLH6

N-channel 30 V, 0.0042 廓, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK

文件:1.11595 Mbytes 页数:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

ST

意法半导体

STU75N3LLH6

N-channel 30 V, 0.0042 廓, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK

文件:1.11595 Mbytes 页数:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU75N3LLH6

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:893.32 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STU75N3LLH6

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.18 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    STP75N3LLH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 0.0042 Ohm 75A STripFET VI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220
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更多STP75N3LLH6供应商 更新时间2025-10-12 13:44:00