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STP7N52DK3	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=525V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP7N52DK3	文件：930.66 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 525 V, 0.95 ohm, 6 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 文件：930.66 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD7N52DK3	文件：299.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=525V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STD7N52DK3	文件：930.66 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 525 V, 0.95 ohm, 6 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 文件：930.66 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF7N52DK3	文件：318.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=525V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
STP7N52DK3
功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 0.98 ohm 6.2A SuperFREDmesh3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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