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STP7N52DK3	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP7N52DK3	文件：930.66 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 525 V, 0.95 ohm, 6 A, DPAK, TO-220FP, TO-220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STP7N52DK3
功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 0.98 ohm 6.2A SuperFREDmesh3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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