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STP9N60M2	文件：1.47888 Mbytes Page：21 Pages	Extremely low gate charge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP9N60M2	文件：1.10861 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9N60M2	文件：1.1057 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD9N60M2	文件：1.47888 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF9N60M2	文件：884.75 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.72??typ.,5.5AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETsinTO-220FPandI2PAKFPpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFI9N60M2	文件：884.75 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.72??typ.,5.5AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETsinTO-220FPandI2PAKFPpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL9N60M2	文件：1.04937 Mbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.76??typ.,4.8AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETinaPowerFLAT??5x6HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusinganewgenerationofMDmesh™ technology:MDmeshIIPlus™lowQg.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesa verticalstructuretothecompany'sstriplayoutto yieldoneoftheworld'sloweston-resistanceand gatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STU9N60M2	文件：1.47888 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP9N60M2
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
POWER MOSFET - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
功能描述：
STP9N60M2 Series 600 V 5.5 A 0.78 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-220-3
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 5.5A MDmesh II TO-220
功能描述：
MOSFET N-Channel 600V 5.5A TO-220
功能描述：
600V,0.72,5.5A,N-Channel Power MOSFET
功能描述：
N-channel 600V,0.72Ohm,5.5A Power MOSFET

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