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STP80NF55L-06	文件：83.9 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 55V - 0.005 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP80NF55L-06	文件：998.21 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB80NF55L-06	文件：85.93 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL55V-0.005ohm-80AD2PAKSTripFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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N - CHANNEL 55V - 0.005 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

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N-CHANNEL55V-0.005ohm-80AD2PAKSTripFETPOWERMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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详细参数

型号：
STP80NF55L-06
功能描述：
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STP80NF55L-06供应商更新时间2024-4-30 18:26:00

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