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STP80N20M5	文件：372.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 61A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.023Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP80N20M5	文件：935.71 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 200 V, 0.019 ohm, 61 A, TO-220, D2PAK 文件：935.71 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STP80N20M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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