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STL100N6LF6

N-channel 60 V, 0.0038 Ohm typ., 22 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages. Low gate charge\nVery low on-resistance\nHigh avalanche ruggedness;

ST

意法半导体

STL100N6LF6

丝印:100N6LF6;Package:PowerFLAT;N-channel 60 V, 3.3 m廓 typ., 25 A STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package

文件:2.35851 Mbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL130N6F7

POWERFLAT5X6

ST/意法

STL24N60M2

QFN

ST

STL50DN6F7

DFN5X6

详细参数

  • 型号:

    STL100N6LF6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60V 0.0038 Ohm 22A STripFET VI MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STL100N6LF6供应商 更新时间2026-1-29 17:30:00